Транзисторы — основа всей электроники, которая есть в каждом чипе. Но масштабировать кремниевые транзисторы становится все сложнее: законы физики больше не дают уменьшать их без потерь.
Команда из Института промышленных наук Токийского университета радикально изменила подход, сообщается в пресс-релизе института. Вместо кремния они использовали допированный оксид индия. В нем части атомов исходной структуры замещаются на атомы другого химического элемента. В этом случае — галлием (InGaOx). Это кристаллический материал, который хорошо проводит ток.
Ученые создали транзистор с архитектурой «gate-all-around» — здесь затвор полностью окружает канал, по которому идет ток. Такой подход улучшает контроль, эффективность и масштабируемость по сравнению с традиционными устройствами.
Новый транзистор сочетает скорость, стабильность и компактность, открывая путь к более мощной электронике для задач ИИ, больших данных и других ресурсоемких вычислений, сообщает Sciencedaily.
Наше устройство обходит по характеристикам все аналоги. Это серьезный шаг к будущему электроники
В результате исследователи получили полевой транзистор с высокой подвижностью электронов — 44,5 см²/В·с. Это значительно превышает показатели стандартных кремниевых транзисторов (обычно до 20 см²/В·с). Устройство устойчиво работает под нагрузкой на протяжении трех часов.
Ранее мы рассказывали, что в России разработан алмазный транзистор для экстремальных условий.