Команда из университета Кюсю (Япония) предложила решение — новый метод создания магнитной памяти, которая работает быстрее и с меньшими энергозатратами.
В обычных устройствах данные записываются с помощью электрических зарядов. В новой технологии используется другой принцип — спин-орбитальный момент. Он позволяет управлять направлением микроскопических магнитов в тонкой пленке материала, изменяя данные без постоянного тока. Работа опубликована в журнале npj Spintronics.
Ключом к разработке стал тулиево-железный гранат. Его особенность в том, что он сохраняет стабильность при комнатной температуре и позволяет менять магнитное состояние за доли секунды.
Японские исследователи нашли способ производить его массово. Они использовали метод магнетронного распыления, при котором атомы вещества осаждаются на подложку слоями толщиной всего в несколько нанометров. Затем на гранат нанесли тонкий слой платины и пропустили через него слабый электрический ток.
Эксперимент показал, что направление магнитного поля можно менять напрямую, без дополнительных магнитов. Энергозатраты оказались на уровне традиционных технологий, но процесс — проще и дешевле. Это делает технологию пригодной для промышленного применения.
Новая разработка может стать основой для энергоэффективных модулей памяти, используемых в серверах и системах искусственного интеллекта.
По словам профессора Наото Ямаситы, следующая цель команды — создать работающий прототип устройства, чтобы технология могла перейти из лаборатории в реальные дата-центры.
Ранее Наука Mail рассказывала о способе вернуть детские воспоминания.
