Сотрудники Университета МИСИС, Российского университета дружбы народов и Российского химико-технологического университета разработали более эффективный способ переноса графена — сверхтонкого материала толщиной в один атом, который отлично проводит электричество и тепло. Графен сначала «выращивают» на металлической подложке, а затем переносят на кремниевую пластину для создания гибкой электроники и высокоскоростных чипов. Об этом Науке Mail сообщили в пресс-службе Минобрнауки России.
Традиционно для переноса используют полимер полиметилметакрилат. Однако он удаляется не полностью, оставляет загрязнения, трещины и может вступать в реакцию с графеном, ухудшая его свойства. Ученые предложили заменить полиметилметакрилат на полибутилметилакрилат. Этот полимер слабее взаимодействует с графеном, меньше повреждает его, а также легче синтезируется из более доступного исходного вещества — бутилметакрилата.
Графен, перенесенный с помощью полибутилметилакрилатного полимера, продемонстрировал превосходную однородность, меньшее количество трещин и загрязнений, а также сниженное сопротивление —- один из ключевых параметров для микроэлектроники. Иными словами, предложенный подход позволяет перенести графен с минимальными потерями его полезных свойств
Эксперименты показали, что сопротивление перенесенного графена снизилось почти в 18 раз по сравнению с традиционным методом. Это критически важно для микроэлектроники: чем ниже сопротивление, тем быстрее и эффективнее работают сенсоры и микрочипы. Исследование опубликовано в журнале Next Materials (Q1).
Ранее Наука Mail писала о том, что нейроинтерфейс из графена впервые испытали во время операций на мозге.
