Ученые из университета Северной Каролины создали метод точного соединения кристаллических оксидных мембран для электроники будущего. Статья опубликована в журнале ACS Nano.
Долгое время твистроника развивалась исключительно на базе двумерных материалов, слои которых удерживались относительно слабыми ван-дер-ваальсовыми силами. Американские исследователи продемонстрировали возможность использовать в этих целях прочные оксидные слои.
В новой работе применялись мембраны из ниобата натрия, которые соединяются между собой крепкими химическими связями.
Специалисты использовали методы фотолитографии для создания специальных визуальных маркеров на мембранах, что позволило выдерживать точный угол при соединении. Рентгеновская дифракция показала, что прочные связи вызывают заметное искажение атомной структуры прямо на стыке материалов.
Инновационная технология позволяет легко масштабировать производство и переносить кристаллы на различные подложки. В будущем этот подход планируют адаптировать для других сложных оксидов, чтобы расширить возможности проектирования умных устройств.
Ранее Наука Mail рассказывала, что физики приблизили создание сверхэкономичной компьютерной памяти.