Аспирант радиофизического факультета ТГУ Никита Яковлев, работающий в центре «Перспективные технологии в микроэлектронике», представил лабораторные образцы диодов на основе оксида галлия. Эти полупроводники относятся к четвертому поколению материалов, обладающих высокой устойчивостью к напряжению, низким энергопотреблением и компактными размерами. Разработка ведется в рамках проекта «Силовой диод 1 kV-класса с барьером Шоттки на основе Ga2O3», поддержанного Фондом содействия инновациям.
Как поясняет Никита Яковлев, оксид галлия существенно превосходит традиционные материалы, такие как нитрид галлия и кремний. В настоящее время Китай лидирует в разработке таких полупроводников, но Россия также активно включается в эту гонку, стремясь к технологической независимости.
Первые испытания лабораторных образцов уже проведены на базе центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ. Сейчас команда разработчиков сосредоточена на оптимизации производственного процесса, чтобы повысить процент выхода годных диодов.
Создание диодов на оксиде галлия — важный шаг в развитии российской микроэлектроники. Внедрение таких решений позволит не только сократить энергопотребление устройств, но и укрепить позиции страны на мировом рынке высоких технологий.
Ранее ученые МФТИ и Федерального исследовательского центра проблем химической физики и медицинской химии РАН получили гибридный люминофор в форме коллоидных квантовых точек — кристаллофосфор фосфида индия, допированного марганцем.
