Ученые физического факультета и Института ядерной физики им. Д. В. Скобельцына МГУ вместе с коллегами из Курчатовского института разработали метод улучшения характеристик мемристоров на основе оксидов металлов при помощи облучения альфа-частицами. Об этом Науке Mail сообщили в пресс-службе вуза.
Мемристоры способны одновременно хранить и обрабатывать информацию подобно нейронам мозга, что делает их идеальной основой для аппаратного воплощения искусственного интеллекта. Главной задачей для их практического применения стало повышение стабильности, количества состояний памяти и «выносливости».
Для решения этой проблемы ученые применили управляемое облучение мемристоров на основе оксида титана альфа-частицами от источника плутония-239. Это привело к образованию точно заданной концентрации дефектов (кислородных вакансий) в объеме материала — примерно 1016 на 1 куб. см.
Результаты оказались впечатляющими:
количество устойчивых состояний памяти увеличилось почти в 3 раза;
отношение сопротивлений между состояниями (ключевой параметр) выросло более чем в 2 раза;
«выносливость» устройства (число циклов переключения) возросла в 1,5 раза.
Этот метод, названный «инженерией дефектов», позволяет точечно настраивать свойства мемристоров уже после изготовления. Такой прорыв открывает путь к созданию более сложных и надежных нейроморфных систем, способных к обучению, а также к новому поколению энергоэффективной памяти.
Результаты исследования опубликованы в Applied Physics Letters.
Ранее Наука Mail писала об уникальной технологии управления роботами через мозг.
