микроэлектроника

Материал с революционными свойствами для электроники, энергетики и медицины получили в БФУ им. Канта. По сообщению авторов, датчики из полимерной пленки со «встроенными» наночастицами соединений железа могут

19 апреля 1965 года молодой инженер написал четырехстраничную статью для журнала. Он не претендовал на открытие. Просто смотрел на данные — и сделал вывод, который через десятилетия назовут «самым важным

Ученые Южно-Уральского государственного университета (ЮУрГУ) разработали новый метод получения циркониевых материалов, которые нужны для электроники, датчиков и высокотемпературных покрытий. Он позволяет

Инновационные ИИ-процессоры будут производить не только из традиционного кремния, но и из нитрида галлия. Группа ученых из Брауншвейгского технического университета (Германия) разработала прототип оптического

Ученые разработали способ печати электронных транзисторов с помощью специальных чернил. Технология работает по принципу струйного принтера, вместо краски использует наночастицы. Полученные устройства потребляют

Инженеры разработали «фононный лазер» на микрочипе, который генерирует высокоскоростные поверхностные акустические волны и может ускорить развитие более компактных, быстрых и энергоэффективных электронных

Три программных решения для повышения эффективности тестирования и обработки сигналов в сенсорах разработали и запатентовали ученые центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» (ПТМ) Томского

Инженеры создали прототип флеш-памяти из одноатомного слоя дисульфида молибдена. Его соединение с традиционными чипами позволит обойти некоторые нынешние ограничения для электроники. Исследователи из

Четыре передовых инженерных школы и 71 молодежная лаборатория непосредственно занимаются в России микроэлектроникой, сообщил министр науки и высшего образования РФ Валерий Фальков на пленарном заседании

Кремниевая электроника в ближайшие 15−20 лет, как минимум до 2040 года, будет составлять основу микроэлектроники. Об этом сообщил президент Российской академии наук (РАН) Геннадий Красников на пленарном

В НовГУ создали ПО для автоматического выявления внешних дефектов монолитных интегральных схем. Разработка велась на грант «Студенческий стартап» в размере 1 млн рублей. Специалисты Новгородского

Ученые РАН разработали технологию синтезирования алмазных изделий из газовой фазы, впервые создав элемент микросхемы. Это открывает перспективы применения в энергетике, авиации и электронике. Ученые Института металлургии

Представьте колонку Bluetooth, которую после теста можно просто растворить в воде. Такую технологию создали в США: теперь прототипы электроники можно печатать на 3D-принтере и перерабатывать без вреда для эколо

В мире нанотехнологий то, что кажется дефектом, может стать революционным преимуществом. Ученые из Университета Райса совершили прорыв, обнаружив, что микроскопические складки в ультратонких материалах способны

Ученые собрали уникальный микрочип, который думает не нулями и единицами, а микроволнами. Он одновременно принимает, передает и обрабатывает сигналы на скоростях, с которыми обычные компьютеры просто не успеваю

Компания, которая началась с одной страницы бизнес-плана, изменила весь мир. 18 июля 1968 года «родилась» Intel — и с ней началась эпоха микропроцессоров, интернета и доступных компьютеров. Это не просто дата, а отправная

Ученые представили новый способ объединения транзисторов из нитрида галлия с кремниевыми чипами. Разработка делает производство дешевле, повышает производительность и может лечь в основу будущих квантовых и беспроводных

Витримерные платы легко разбираются и восстанавливаются после повреждений. Их ценные компоненты, включая жидкий металл и светодиоды, возвращаются к исходному состоянию с помощью щелочного гидролиза. Ученые из Политехнического

Разработка Инжинирингового химико-технологического центра позволит обеспечить отечественный рынок инновационными материалами и ускорить внедрение научных идей в промышленность. Томские ученые в рамках форума U-NOVUS-2025

Разработка российских инженеров основана на кристаллографически совершенном алмазном слое толщиной меньше 1 мк. Устройство может быть использовано в условиях высоких температур и радиационного воздействия. Инженеры