Плазма была получена благодаря единственной в мире установке, создающей непрерывный терагерцевый лазерный разряд, сообщили в пресс-службе Институте ядерной физики СО РАН.
В производстве микроэлектроники сейчас широко используется метод фотолитографии, позволяющий формировать на кремниевой поверхности микрочипов структуры, размеры которых достигли нескольких нанометров. Тренд на уменьшение микросхем требует соответствующих технологий. Для решения этой задачи нужны источники экстремального ультрафиолетового излучения. Они станут основными элементами литографов нового поколения.
«Нет сомнений в практической полезности такого источника для развития отечественной микроэлектроники. Благодаря применению ряда новшеств по ограничению объема плазмы и ее стабилизации, нам удалось получить квазистационарную плазму. В этом состоянии ее поддерживает импульсно-периодическое излучение. Параметры плотности плазмы и ее размер достаточны», — цитирует пресс-служба сотрудника института Виталия Кубарева.
Кубарев добавил, что физики планируют увеличить мощность плазмы в два и четыре раза. Такого результата планируется достичь за счет увеличения мощности Новосибирского лазера на свободных электронах, находящегося в ИЯФ СО РАН и позволяющего получать мощное терагерцовое излучение. Планируется, что в качестве химического элемента для источника излучения будет использоваться ксенон. Отработанную технологию планируется реализовать в более компактных установках. Они будут созданы на основе генераторов электромагнитных колебаний СВЧ-диапазона. Особенность таких установок в том, что их можно будет передавать в пространство в виде узкого волнового пучка.
Институт ядерной физики имени Г. И. Будкера Сибирского отделения Российской академии наук (ИЯФ СО РАН) — один из ведущих мировых центров в области физики высоких энергий и ускорителей, физики плазмы и управляемого термоядерного синтеза.