Инженеры Российского технологического университета МИРЭА разработали и запатентовали принципиально новый полевой транзистор, основанный на алмазной структуре. Об этом сообщили в пресс-службе Министерства науки и высшего образования России.
Транзистор основан на применении тончайшего алмазного слоя, толщина которого составляет менее одного микрона. По словам ученых, слой получен методом термохимической обработки, что позволило устранить микроскопические дефекты и повысить электрические характеристики прибора. Устройство показывает на 10-15% более высокую производительность по сравнению с аналогами на основе традиционных полупроводников.
Ключевое преимущество транзистора — сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности
По мнению исследователей, разработка ориентирована на использование в особо ответственных отраслях. Например, в космической технике и ядерной энергетике, где обычные кремниевые транзисторы теряют работоспособность.
Ранее Наука Mail рассказывала, что студент ВШЭ раскрыл тайну китайской шелковой завесы эпохи Цин.
